新一代神U将至,10nm工艺,性能与功耗的完美平衡

    月底的MW(世界移动大会上),除了会有三星S9首发骁龙845这款旗舰处理器,高通中端系列处理器也会升级。在2017年,凭借几款明星产品,骁龙660的出货量占据了高通处理器的很大一部分。骁龙660芯片虽然是定位中端,却有不输旗舰级的表现。终于,660也有了接班人,那就是预计会在月底MWC上亮相的高通骁龙670。

    德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt披露了这款SoC的一些规格资料。从信息看来,骁龙670将会基于10nm工艺制造,这是十分令人期待的。CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核(基于Cortex A55,骁龙845同款)。大核心最高主频达到了2.6GHz,相比之下,骁龙660的最高主频是2.2GHz。小核最高主频1.7GHz,相信高通的新架构对于功耗的控制肯定更为出色。

    这次推翻了此前4+4的Big.Little设计,比较意外。同时,每核心内件2KB L1缓存,每个丛集享有128KB L2缓存。

    根据跑分,骁龙670单核性能比骁龙660的提升了大概10%左右,但多核低于骁龙660(骁龙660)。多核性能降低的原因很明显,是因为仅两颗高性能核心,总体性能低于上一代。但比肩骁龙835的单核性能还是让骁龙670使人眼前一亮。最重要的肯定还是基于10nm的制造工艺,会使670的功耗更低。

    GPU方面使用的是Adreno 615,可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。从跑分看来GPU相比骁龙660提升大概17%左右。 ​虽然性能不算高,但也属于够用范围。但实在想不通高通为何不给中端芯片配上更好一点的GPU,毕竟现在手机游戏的体量也是越来越大,光靠优化,以670的水平,能流畅运行主流游戏的时间恐怕不会太长久。

    很重要一点,这次闪存终于支持UFS 2.1,当然也eMMC 5.1,这一次,如果蓝绿厂上了UFS 2.1,我就相信以前没上是因为不支持。如果这都不上,那我无话可说。基带方面集成X20系列,下行速度追上骁龙835的水平,达到1Gbps基带一直属于高通的强项,上一代旗舰的基带下放到次旗舰也是很常见的事情。

    总体看来,骁龙670将会是一款足够使用并且表现很好的中端SoC。有着强力的单核性能,够用的多核性能和图形性能,最主要点的当然还是功耗低。虽然目前没有具体功耗的信息,但通过制程和架构升级能够带来的提升应该不止这点。这说明骁龙670在功耗表现上面一定会带给大家惊喜。我们完全有理由相信骁龙670会续写660的传奇,是新一代稳定,够用,不发烫的神U!

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